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[江蘇]材料科學姑蘇實驗室

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材料科學姑蘇實驗室博士后招聘公告

1實驗室簡介

材料科學姑蘇實驗室是瞄準國家實驗室建設標準和國際一流水平,服務國家重大工程戰略需求,立足蘇州現有科研基礎與發展要求,集聚國內外創新資源,與科研院所、高等院校、龍頭企業協同建設的新型的研發機構。目前注冊為蘇州市事業法人,已獲批準為首批江蘇省實驗室,正在爭取成為省級科研單位。實驗室坐落在蘇州工業園區,總部規劃用地不少于500畝,10年建設資金總額200億元。

姑蘇實驗室以獨立法人事業單位實體化運行,實行理事會領導下的實驗室主任負責制;組織支撐流程,流程支撐業務的理念設立組織模塊,創新實踐主建主戰相結合的矩陣式管理理念,探索符合科技創新規律和市場經濟規律,引領未來科技、產業發展與國際接軌的各類新型管理體制機制。

姑蘇實驗室的建設目標是緊扣材料科學領域中的國家重大戰略需求、區域經濟發展重大需求以及未來科技革命的前沿技術三大重點,以突破國家重大戰略需求、攻克區域產業重大技術瓶頸、解決行業重大科技問題為使命,通過五年左右的一期建設,集聚1000名以上的科研、技術及管理人才,建成具有國際一流水平的材料研發、分析表征、仿真模擬等公共平臺,突破一批材料科學領域核心基礎科學問題和關鍵共性技術問題;通過二期建設,到2030年,姑蘇實驗室力爭躋身世界一流材料實驗室行列,成為具有全球影響力的國際化創新策源地、國家材料戰略性科技創新基地。

歡迎全球有志于電子信息材料、能源環境材料、生命健康材料等研究領域的優秀才俊加盟,共同致力于材料領域的科研創新!

2崗位描述和應聘條件

序號

項目研究方向

招聘人數

專業方向

候選人基本條件

1

超導量子器件(器件工藝開發)(G201&202)

3

半導體、微電子

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有較強的微納加工基礎,熟練掌握版圖設計、紫外光刻、電子束曝光、薄膜生長、刻蝕、封裝等工藝,有硅基和III-V半導體器件、超導電子器件的加工經驗者優先;

3、溝通能力強,具有合作精神,能夠獨立承擔器件研究和工藝開發工作;

4、有良好的英文閱讀和寫作能力。

2

超導量子器件(量子器件設計及測控)(G201&202)

7

物理、微電子、微波工程、電子信息技術

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有固態量子器件設計、測控和分析經驗者優先;

3、深入理解量子電動力學或量子光學,了解開放量子系統理論,熟悉低溫測試系統。

3

超導量子器件(材料微波損耗測試)(G201&202)

3

物理、電子信息技術、材料、微波

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具備三年以上微波工程、微波器件設計、器件電磁場模擬及測試相關工作經歷;

3、深入理解材料微波損耗機理;

4、有微波器件設計及微波損耗測試經驗者優先

4

超導量子器件(固態量子芯片退相干微觀機理研究)(G201&202)

2

物理、電子信息技術、材料、微波

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具備三年以上材料微觀物性研究、及測試相關工作經歷,有較強的量子器件及量子材料功底,精通前沿的高精密量子器件表征,如STM/AFM表征、電子自旋共振表征、鉆石NV色心探針表征、ScanningSQUID表征等;

3、深入理解材料微波損耗機理;

4、有微波器件設計及微波損耗測試經驗者優先

5

高精度動態三維智能視覺芯片與系統核心技術開發(G203

6

計算機、通信、自動化等相關專業

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有較好數學基礎,較強的圖像處理算法設計能力;

3、在計算成像、圖像處理等領域具有相關研究成果或開發經驗;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀能力;

5、了解雙目、結構光、ToF等一種或者多種技術者優先。

6

MOCVD/MBE外延與器件驗證(G2101

3

半導體材料生長、半導體光電子器件、微電子學與固體電子學、材料學、物理學、真空技術等相關專業;

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、了解并熟悉掌握MOCVD/MBE設備研發制造及生長技術;

3、根據外延材料測試與下游器件的結果反饋,進行外延工藝的優化與改進;

4、對MBE外延產品分析檢測,數據分析,形成報告和技術文檔;

5、熟悉外延產品知識和相關應用,熟練操作所負責的儀器和軟件,能獨立設計實驗和分析實驗結果;

6、熟悉了解外延片各類表征手段,如XRD,PL,ECV,AFM等,同時根據要求的材料結構研發和編寫外延生長工藝

7

基于超表面的光譜調制結構設計(G2102

1

材料、電子、微電、精儀等

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、微電子、電子工程、半導體物理、材料等相關專業碩士及以上學歷,研究生階段從事過光子晶體、超材料方面的研究。

3、有較好的數理基礎,能深刻理解微納結構與電磁波的相互作用,熟練使用FDTD、Rsoft、RCWA等進行電磁波仿真。

4、根據公司業務需求,完成微納結構的仿真設計,配合測試結果優化結構設計。

5、熟練使用TannerToolklayout等版圖設計軟件者優先,有一定的代碼能力者優先

8

快速高精度光譜重建算法研究(G2102)

1

材料、電子、微電、精儀等

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、數學、計算機等相關專業,具備扎實的數學基礎和數據處理經驗;

3、熟悉并可以應用多種機器學習模型。包括但不限于線性模型、樹模型、概率圖模型、聚類模型、深度學習模型、多任務學習、遷移學習、強化學習、整數規劃算法、VRP算法(其中若干種即可);

4、熟練掌握pythonC++;

5、有算法部署經驗者優先;

6、責任心強,善于學習新事物,有較強的分析問題和解決問題的能力。

9

融合人工智能的材料結構搜索策略和方法(G2103

1

計算材料學&人工智能

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、熟悉C++,Python等;熟悉主流的開源深度學習框架如PyTorch,TensorFlow等;如有遺傳算法、粒子群算法經驗更佳。

10

高精度超高帶寬量子比特讀取技術(G2113)

1

物理電子學/電子學相關專業

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具備高速模擬電路設計、FPGA程序設計經驗

11

退役動力電池材料回收與再生(G2116

4

選礦,濕法冶金,材料(新能源材料),化工,LCA,有機合成,生物合成專業

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具備深厚的電化學/鋰電材料合成/測控、智能識別/選礦/濕法冶金的理論知識;

3、能夠獨立開展研究平臺搭建和開展課題研究;

12

晶圓級微透鏡陣列光學芯片(G2118)

1

自動化

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具有3年以上微納加工(光刻、刻蝕、SEM檢測)經驗者優先;

3、精通衍射光學,微納光子學理論基礎和設計技巧,具有實際設計的成功經驗;

4、熟悉相關的微納加工技術,了解相關的核心設備型號和操作規程,并了解制作過程所需材料;

5、精通光刻、納米壓印、電鍍、印刷、精通薄膜等技術,并能熟練使用日常分析及檢測儀器。

13

晶圓級微透鏡陣列光學芯片(G2118)

1

微電子與固體電子學

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、至少熟練掌握Matlab編程語言,簡歷必須包含以Matlab語言撰寫的代碼內容,熟練掌握C/C++Python等編程語言者更佳;

3、有扎實的傅里葉變換、概率論、線性代數功底(相關課程成績優秀);

4、熟悉數字信號處理、統計信號處理、陣列信號處理、雷達者優先考慮。

14

連續噴墨打印技術研究(G2120)

6

電子工程、自動化、機械工程,材料,電子,微電,物理

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具有MEMS器件、PZT壓電薄膜制備、傳感器件(Sensor)、制動器件(Actuator)或其他半導體器件研究基礎和經驗;

3、熟悉常見的MEMS芯片制備工藝:光刻、深硅刻蝕、鍵合等;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀和撰寫能力。

15

OLED/QLED顯示材料的設計合成與開發(G2120)

6

有機/物理化學/高分子化學;微電;材料;光學

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有扎實的有機分子材料設計與合成的基礎和經驗;

3、具有3年以上的OLED/QLED或其它有機光電器件的研究經歷;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀和撰寫能力。

16

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究(微聚焦電子束(10微米級別、動態掃描)、光電子調制檢測)(G2121)

2

真空電子學

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有較好物理基礎;

3、在磁偏轉電子束、電子透鏡等領域具有相關研究成果或開發經驗;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀能力;

5、有XPS使用維護經驗者優先。

17

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究(X射線單色化調制)(G2121)

1

光學

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有較好光學基礎;

3、在光束聚焦等領域具有相關研究成果或開發經驗;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀能力;

18

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究(自動化控制)(G2121)

1

自動化

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有較好自動化基礎;

3、在儀器自動化領域具有相關研究成果或開發經驗;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀能力;

19

半導體工業級在線式X射線光電子能譜的關鍵技術研究(數據分析反饋)(G2121)

1

計算機,人工智能

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、有較好計算機基礎,較強的算法設計能力;

3、在大數據、人工智能等領域具有相關研究成果或開發經驗;

4、較強的論文檢索,英文專業文獻閱讀能力;

20

AlGaN深紫外LED外延生長、AlGaN深紫外LED器件工藝(G2122

4

半導體材料與器件、光電子

1、國內外著名大學博士學位獲得者,年齡35歲以下,畢業3年以內;

2、具有化合物半導體材料外延生長、光電子或功率電子器件的研究背景;

3、了解相關領域國內外最新研究進展,具有扎實的專業基礎知識和實驗技能、及較強的英語讀寫能力,在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績;

4、具有較強的團隊合作精神、責任心和獨立開展工作的能力,動手能力強,認真細心,踏實肯干,善于溝通,有意長期從事氮化物半導體材料與光電子器件的研發及產業化工作;

5、具有AlGaN基深紫外LED材料MOCVD外延生長或芯片工藝研發經驗者優先考慮。

 

3相關待遇

(一)薪資待遇:協議年薪25萬起,成功進站工作者額外獲得218萬生活補貼。

(二)人才項目:實驗室支持符合條件的博士后進站人員競爭性申報國家博新計劃、國際交流計劃引進項目、博士后基金站前特別資助等。

(三)職稱評定:在站期間可參與申報自然科學研究系列職稱。

(四)科研項目:按照相關規定,申請國家、省市各類科研項目。

(五)在職培訓:提供相關專業與技術能力培訓的機會。(六)其他福利:高標準繳納五險一金、年度體檢、節日福利等。

4應聘材料及方式

(一)基本材料:應聘登記表、簡歷、學歷/學位證書、身份證復印件等;

(二)證明材料:文章列表、發明專利、獲獎證書復印件等相關證明本人能力及水平的證明材料;

(三)請將上述材料以項目研究方向+姓名+高校博士網命名發送至郵箱:hrzp@

(四)姑蘇實驗室官方網站:ww***.cn[點擊查看]。

材料科學姑蘇實驗室,期待海內外人才共創事業!

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